半導體

賽迪智庫丨MRAM——人工智能時代的新型存儲器

作者:來源:中國電子報、電子信息產業網發布時間:2019-10-09 18:34我要評論

磁性隨機存儲器(Magnetic RAM,MRAM)是一種利用電子自旋方向存儲信息的技術。它具有高讀寫速度,高集成度,無限次可重復擦寫的特點,是一種未來可能的通用型存儲器。

根據麥肯錫的報告,人工智能可以使半導體企業從系列技術創新中獲得總價值的40%到50%,而其中存儲將實現最高的增長。以深度學習為代表的人工智能應用需要密集的卷積陣列,包括CPU、GPU在內的傳統計算架構性能受限于數據傳輸帶寬,內存計算(In-memory Computing)架構或許能夠在人工智能領域實現更好的性能。MRAM等新興的非易失存儲器將成為實現該架構的關鍵技術之一。

第一代MRAM是toggle MRAM,采取磁場寫入數據的方式,其特點是容易設計制造,缺點在于尺寸大,難以微縮。

第二代MRAM是STT MRAM,采用自旋極化電流寫入的方式,相比于第一代產品具有更快的速度,更高的能效比,以及更容易微縮。

MRAM讀寫速率及耐久度和DRAM相當,但是具有非易失性,無需刷新電流的優點。

根據MRAM商業公司Everspin的數據,第一代Toggle MRAM市場主要集中在PLC、游戲、醫學儀器、高端儀表、磁盤陣列日志存儲、工業等領域,未來有一定增長空間,主要的機會將會在汽車電子領域。2019年,Toggle MRAM的市場規模估計在5.51億美元,并且在未來能夠達到年均復合增長率6%,到2022年達到6.56億美元。

STT-MRAM市場將主要在SSD領域,未來還具有較大增長空間,可能的機遇在RAID、存儲加速、網絡加速、視頻監控、以及內存計算等領域。2019年,STT-MRAM市場規模估計9.95億美元,預計未來年均復合增長率高達30%,到2022年達到22.1億美元。

美國AI加速器初創公司Gyrfalcon Technology Inc. (GTI)已經將MRAM技術運用于移動端和物聯網應用中的卷積神經網絡(CNN)加速。相比于SRAM,將MRAM用于存儲CNN中的系數,能夠在讀寫速率不變的情況下,使功耗降低20%-50%,并且具備瞬時啟動的能力。未來,MRAM或許將廣泛用于物聯網等對功耗敏感應用。

后續,中國電子信息產業發展研究院將組織行業頂級專家對國產MRAM產業進行討論。為更好的促進行業交流,中國電子信息產業發展研究院將于2019年10月25-26日在青島舉辦第十四屆“中國芯”集成電路產業促進大會“存儲產業發展主題論壇”,邀請紫光、長鑫、馳拓等國內優秀的存儲企業代表、業內專家,從技術、產業等多個層面共同交流產業經驗,探討我國存儲器的發展路徑,敬請持續關注。

感謝所有“中國芯”參與企業和協助單位的大力支持!

一、會議組織機構

主辦單位:中國電子信息產業發展研究院

二、會議時間與地點

2019年10月25-26日 青島

三、聯系方式

聯系人:黃陽棋

聯系電話:010-68209293

聯系郵箱:[email protected]



責任編輯:馬利亞
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